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主要溅射方式:
反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入一定比例的反应气体,通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。
直流溅射(dc ---ron1 sputtering)、射频溅射(rf ---ron1 sputtering)、脉冲溅射(pulsed---ro n1 sp uttering)和中频溅射(medium fre2quency ---ro2 n sp uttering)
直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中,其工艺设备简单,有较高的溅射速率。
中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中,与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(twin2mag)溅射系统中,中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端,磁控溅射镀膜机,分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上,因而在双靶---别获得相位相反的交流电压,一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性,可避免被毒化的靶面产生电荷积累,引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题,溅射速率高,为化合物薄膜的工业化---生产奠定基础。
连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理, 溅射镀膜, 后处理。
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1.1 溅射定义
就像往平静的湖水里投入石子会溅起水花一样,用高速离子轰击固体表面使固体中近表面的原子或分子从固体表面逸出,这种现象称为溅射现象。
1.2 溅射的基本原理
溅射是指具有足够高能量的粒子轰击固体表面使其中的原子发射出来。早期人们认为这一现象源于靶材的局部加热。但是不久人们发现溅射与蒸发有本质区别,并逐渐认识到溅射是轰击粒子与靶粒子之间动量传递的结果。
溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10pa的ar或其它惰性气体,在阴极靶1-3kv直流负高压或13.56mhz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的,因而溅射出来的原子能量高,有利于提高沉积时原子的扩散能力,提高沉积组织的致密程度,使制出的薄膜与基片具有强的附着力。溅射时,气体被电离之后,气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材,电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下,产生的离子数目少,靶材溅射效率低;而在高电压和高气压下,尽管可以产生较多的离子,但飞向基片的电子携带的能量高,容易使基片---甚至发生二次溅射,影响制膜。另外,靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加,因而被散射到整个腔体,既会造成靶材浪费,又会在制备多层膜时造成各层的污染。
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